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AI算力狂飆引發(fā)缺芯危機,汽車、手機、PC或迎漲價潮

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2026-03-10  作者:鑫欏資訊
摘要:受生成式AI與大模型訓(xùn)練的驅(qū)動,全球科技巨頭正以前所未有的速度建設(shè)數(shù)據(jù)中心,導(dǎo)致了一場由AI“虹吸效應(yīng)”引發(fā)的結(jié)構(gòu)性缺芯危機。隨著HBM(高帶寬內(nèi)存)產(chǎn)能被AI公司高價鎖定,傳統(tǒng)DRAM供應(yīng)急劇收緊,...
受生成式AI與大模型訓(xùn)練的驅(qū)動,全球科技巨頭正以前所未有的速度建設(shè)數(shù)據(jù)中心,導(dǎo)致了一場由AI“虹吸效應(yīng)”引發(fā)的結(jié)構(gòu)性缺芯危機。隨著HBM(高帶寬內(nèi)存)產(chǎn)能被AI公司高價鎖定,傳統(tǒng)DRAM供應(yīng)急劇收緊,汽車、手機、PC等終端市場正面臨持續(xù)的成本壓力與漲價潮。
 
彭博社援引IDC數(shù)據(jù)指出,2026年大型科技公司資本支出預(yù)計高達6500億美元,同比增長約80%。算力需求的爆發(fā)使AI成為內(nèi)存產(chǎn)業(yè)需求結(jié)構(gòu)的核心驅(qū)動力:數(shù)據(jù)中心對DRAM的全球消費占比已從五年前的32%提升至約50%,并可能在2030年超過60%。為滿足AI服務(wù)器需求,廠商將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤更高但制造難度極大的HBM,通過垂直堆疊多層內(nèi)存顆粒并緊鄰處理器部署,大幅提升數(shù)據(jù)傳輸效率。例如,傳輸 1TB 數(shù)據(jù) 時,傳統(tǒng) DDR5 內(nèi)存需要 10秒以上,而 HBM3 速度約快 10倍。其市場由三星、SK海力士和美光高度壟斷,導(dǎo)致傳統(tǒng)DRAM供應(yīng)持續(xù)收緊,消費電子廠商被迫在更緊張的市場中爭奪芯片。
同時三大終端市場連鎖反應(yīng)加劇。PC市場的內(nèi)存成本占比大幅攀升,存儲成本在筆記本物料成本中的占比已從15%激增至35%左右 。聯(lián)想已向渠道發(fā)布調(diào)價函,部分產(chǎn)品零售價漲幅最高超1000元;惠普、戴爾亦相繼提價以抵消成本上漲。手機市場據(jù)Counterpoint預(yù)計,內(nèi)存漲價可能讓智能手機物料成本上升15%以上,進而推動終端價格上漲。IDC甚至預(yù)測2026年全球智能手機市場可能萎縮12.9%。
 
汽車市場由于車規(guī)級存儲芯片價格飆升,尤其是DDR5內(nèi)存價格暴漲300%。即將上市的煥新極氪007GT因搭載更稀缺的DDR5X內(nèi)存,面臨更大成本壓力,預(yù)計上調(diào)幅度在5000元至8000元之間。此外,貴金屬及鋰礦價格上漲進一步加重電池成本負擔(dān)。此前,奇瑞星途ET5已率先上調(diào)官方指導(dǎo)價,成為2026年首款漲價的車型。蔚來李斌坦言內(nèi)存漲價已成最大成本壓力,小米雷軍亦表示僅內(nèi)存漲價就可能導(dǎo)致單車成本上升數(shù)千元。業(yè)內(nèi)普遍認為,由于晶圓廠擴產(chǎn)周期漫長且制造難度極高(如HBM良率低),加之AI需求未見放緩,芯片短缺局面預(yù)計至少持續(xù)至2027-2028年 。這迫使企業(yè)通過減產(chǎn)低毛利產(chǎn)品、與芯片廠直簽協(xié)議等方式應(yīng)對,而消費者則被迫延長換機周期,行業(yè)洗牌或?qū)⒓铀佟?/div>
 
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